класс многофункциональных интегральных полупроводниковых приборов, содержащих совокупность однотипных элементов, расположенных на единой ПП (как правило, кремниевой) подложке; действие осн. на перемещении заряда, накопленного в элементах, последовательно по цепочке этих элементов в ПП. Выполняются в виде интегральных схем либо входят в состав ИС наряду с др. интегральными ПП приборами. Элементом П. с п. з. обычно служит металл - оксид - полупроводник-структура (МОП-структура), в к-рой происходит накопление и сохранение неосновных носителей заряда. Перемещением накопленного (информац.) заряда управляют, изменяя напряжение на электродах МОП-структур путём подачи на них определ. последовательности импульсов напряжения. Информац. заряд вводится в П. с п. з. посредством облучения ПП световым потоком с энергией фотонов, достаточной для собственного или примесного поглощения либо управляемой ин-жекции носителей. В зависимости от механизма ввода и вывода информации П. с п. з. выполняют функции преобразования изображения в видеосигнал, запоминания информации, аналоговой и цифровой обработки, а также логич. операции. Наиболее распространённая разновидность П. с п. з. - приборы с зарядовой связью,
Смотреть больше слов в «Большом энциклопедическом политехническом словаре»